立方氮化硼（cBN）單晶粒徑范圍的確定

立方氮化硼（cBN）單晶粒徑范圍的確定需綜合多種測量技術與統計分析方法。

測量技術選擇方面，激光粒度分析儀適用于快速測量粉末粒徑分布，其原理是通過激光衍射分析顆粒散射光分布，計算等效粒徑，優勢在于操作簡便、重現性好，可測粒徑范圍寬（如0.3nm-10μm），但對不規則顆粒或團聚體的測量精度可能受影響。掃描電子顯微鏡（SEM）則能直觀顯示顆粒形狀和尺寸，分辨率高，適用于觀察顆粒形貌及表面結構，但樣品需鍍金處理，測量速度慢，成本較高。透射電子顯微鏡（TEM）可測納米級顆粒，提供晶體結構信息，但樣品制備復雜（需超薄切片），設備昂貴。

測量步驟與數據處理上，樣品制備是關鍵環節。激光粒度分析需研磨粉末并分散于介質中以避免團聚；SEM/TEM則要將粉末均勻鋪于導電膠或銅網，并鍍金增強導電性。數據采集時，激光粒度儀可直接輸出粒徑分布曲線和統計參數，而SEM/TEM需拍攝顆粒圖像，使用圖像分析軟件測量粒徑。統計分析涉及計算平均粒徑、粒徑分布范圍以及標準差等，以全面反映粒徑特性。

粒徑范圍標準與應用領域，人工合成單晶粒徑通常在0.05mm（50μm）至3mm之間，最大可達3mm。工業應用中，小粒徑（如0.1-10μm）cBN用于精密拋光，大粒徑（如100-1000μm）則用于粗磨；PCBN刀具由細晶粒（0.1-100μm）聚結而成，以平衡硬度與韌性。行業標準方面，如《含立方晶氮化硼顆粒的單晶態金剛石顆粒》要求cBN平均粒徑為0.05-100μm，企業規范則根據合成工藝和用途制定具體范圍。

技術對比與選擇建議，激光粒度分析精度中等，速度快，成本低，適用于0.3nm-1mm粒徑；SEM精度高，速度慢，成本中等，適用于1μm-1mm粒徑；TEM精度極高，速度極慢，成本高，適用于納米級（<1μm）粒徑。選擇時，快速篩選優先用激光粒度儀，形貌分析結合SEM，納米級研究則用TEM。

結論，立方氮化硼單晶粒徑范圍需通過測量技術與統計分析綜合確定，人工合成單晶粒徑通常在0.05mm-3mm，具體范圍需結合合成工藝和行業標準，并通過統計工具分析得出。